[发明专利]定向凝固法生长铸锭多晶硅的方法及其热场

摘要

本发明涉及一种定向凝固法生长铸锭多晶硅的方法及其热场，包括熔化、长晶、退火和冷却过程；铸锭多晶热场中的保温腔是由顶板、侧壁、和底板三部分组成的；其中顶板位置固定，侧壁和底板可上下移动，根据长晶过程的不同阶段的需要，控制侧壁和底板之间的距离。本发明的目的首先在于减少化料过程的电耗，达到节电的效果，其次在于通过分别控制热腔底板和热腔侧壁的移动距离，在多晶硅晶锭生长过程中，控制底部散热方向，间接控制晶体的生长界面，平整的生长界面有助于得到高质量的晶体，有利于提高光伏电池的装换效率。

主权项

一种定向凝固法生长铸锭多晶硅的方法，其特征在于包括以下步骤：1)熔化前：保温腔底板与保温腔侧壁同时上移，两者之间保持闭合状态，保温腔底板与石墨助凝块之间的距离为0～200mm；2)高温熔化；3)长晶：保温腔底板和保温腔侧壁先同时下移5～500mm，然后保温腔侧壁逐渐上移，保温腔底板逐渐下移，使两者分离形成缝隙；4)冷却：石墨助凝块与保温腔侧壁相对保持静止，保温腔底板随晶体温度的下降而逐渐向下移动。