[发明专利]提高晶圆的刻蚀CD均匀度的装置和方法有效
| 申请号： | 201110458036.0 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103187242A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高晶圆的刻蚀CD均匀度的装置和方法，所述装置包括腔体；晶圆放置台，固定于所述腔体中，所述晶圆放置台用于放置晶圆；转动轴，垂直连接所述晶圆放置台和所述晶圆之间，所述转动轴能够带动晶圆水平转动；刻蚀源供应装置，设置于所述腔体中晶圆正上方。所述方法通过在刻蚀阶段、或稳定阶段、或者同时在刻蚀阶段和稳定阶段启动所述转动轴带动所述晶圆水平转动，从而提高了刻蚀CD均匀度。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 刻蚀 cd 均匀 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种提高晶圆的刻蚀CD均匀度的装置，包括：腔体；晶圆放置台，设置于所述腔体中，所述晶圆放置台用于放置晶圆；转动轴，与所述晶圆放置台连接，用于带动晶圆转动；刻蚀源供应装置，设置于所述腔体中并位于所述晶圆上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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