[发明专利]萧基晶体管装置的制作方法有效
| 申请号： | 201110458411.1 | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103123897A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 林永发;徐守一;吴孟韦;陈面国;张家豪;陈家伟 | 申请（专利权）人： | 茂达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了萧基晶体管装置的制作方法，其特征在于包括提供一基底，具有一第一导电型；在基底上成长一外延层，其中外延层具有第一导电型；在外延层上形成一图案化介电层；在外延层的表面形成一金属硅化物层；在金属硅化物层上形成一掺质来源层，其中掺质来源层具有第二导电型的掺质；进行一热驱入工艺，使掺质来源层内第二导电型的掺质扩散进入外延层；及在金属硅化物层上形成一导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 装置 制作方法 | ||
【主权项】：
一种萧基晶体管装置的制作方法，其特征在于包括：提供一基底，具有一第一导电型；在所述基底上成长一外延层，其中所述外延层具有所述第一导电型；在所述外延层上形成一图案化介电层；在所述外延层的表面形成一金属硅化物层；在所述金属硅化物层上形成一掺质来源层，其中所述掺质来源层具有所述第二导电型的掺质；进行一热驱入工艺，使所述掺质来源层内所述第二导电型的掺质扩散进入所述外延层；及在所述金属硅化物层上形成一导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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