[发明专利]高电流取出效率LED无效
| 申请号： | 201110458418.3 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103824922A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 魏臻 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张利强 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高电流取出效率LED，包括位于底层的基底、沉积于所述的基底上方的金属薄膜层、覆盖于所述的金属薄膜层上的SiO2层、以及沉积于所述的SiO2层上方的ITO和金属电极。所述的基底为P-GaN层。在外延片表面沉积反射率大于70%的金属薄膜，如银，铜，铑等，然后制作成类似CBL的结构，然后沉积一层SiO2层正好覆盖在金属薄膜上，该层SiO2的作用是CBL，接着再沉积ITO和金属电极。由于采用上述技术方案，本发明利用金属薄膜的高反射率将射向电极的光大部分反射回LED体内，从而通过其他途径出射到LED体外，提高了出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 取出 效率 led | ||
【主权项】：
一种高电流取出效率LED，其特征在于：它包括位于底层的基底、沉积于所述的基底上方的金属薄膜层、覆盖于所述的金属薄膜层上的SiO2层、以及沉积于所述的SiO2层上方的ITO和金属电极。
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