[发明专利]结型场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110459177.4 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103187309A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/337 | 分类号： | H01L21/337;H01L29/808 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种结型场效应晶体管(JFET)及其制造方法。根据本发明的制造结型场效应晶体管的方法包括：在第一导电类型的半导体衬底上形成伪栅；在所述半导体衬底的在所述伪栅的两侧的区域中形成源极区和漏极区；在所述半导体衬底上形成绝缘体层，所述绝缘体层不覆盖所述伪栅；去除所述伪栅，从而在所述绝缘体层中留下开口；以及在所述开口中自下而上依次形成第二导电类型的第一半导体层、第一导电类型的第二半导体层和金属栅极。通过使用根据本发明的制造方法，能够实现c-JFET与CMOS的后栅极工艺的完美的匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造结型场效应晶体管的方法，包括：在第一导电类型的半导体衬底上形成伪栅；在所述半导体衬底的在所述伪栅的两侧的区域中形成源极区和漏极区；在所述半导体衬底上形成绝缘体层，所述绝缘体层不覆盖所述伪栅；去除所述伪栅，从而在所述绝缘体层中留下开口；以及在所述开口中自下而上依次形成第二导电类型的第一半导体层、第一导电类型的第二半导体层、以及金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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