[发明专利]光刻机及其扫描曝光方法

摘要

本发明提供了一种光刻机及其扫描曝光方法，利用所述扫描曝光方法进行扫描曝光时，整个硅片的扫描曝光过程由两个运动交替循环构成：扫描曝光运动和步进运动；并且，本发明中的扫描曝光运动为正弦运动，而不是现有技术中的急剧加速-匀速-急剧减速式扫描曝光运动。对单个曝光场进行扫描时，一旦硅片台和掩模台从零速度开始加速，就可对曝光场进行扫描曝光，直至当硅片台和掩模台的速度减小至零时，扫描曝光才结束，极大的增加了扫描曝光运动中的有效率扫描曝光时间，提高了硅片的生产效率。另外，由于硅片台、掩模台以单一频率运动，能抑制和补偿光刻机受到的扰动，进而提高硅片上形成图形的精度，并能使扫描曝光速度具有更大的增长空间。

主权项

一种光刻机的扫描曝光方法，所述光刻机包括承载有待曝光硅片的硅片台、承载有掩模版的掩模台，所述硅片的待曝光区域被划分为两个或两个以上的曝光场，其特征在于，所述方法包括以下步骤：所述硅片台步进到一个曝光场，然后所述硅片台、所述掩模台沿相反方向作同步运动，开始对所述曝光场进行扫描曝光，其中，对所述曝光场进行扫描曝光过程中，所述硅片台及掩模台的速度曲线为正弦曲线，且所述硅片台及掩模台的速度大小分别从零逐渐增加至最大值，然后减小至零，且所述硅片台与所述掩模台的速度之比等于掩模版图形与硅片上最终形成图形尺寸之比。