[发明专利]一种去除单晶硅片指纹印及重油污的方法无效
| 申请号： | 201110459532.8 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103184524A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 叶俊;马超 | 申请（专利权）人： | 上海晶太光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;B08B3/08;C11D7/42;C23F1/32 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 马家骏 |
| 地址： | 201501 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于公开一种去除单晶硅片指纹印及重油污的方法，它包括如下步骤：(a)对硅片进行预处理；(b)将硅片放入注入有制绒液的制绒槽中进行制绒；在上述至少一个步骤中加入活性酶；与现有技术相比，能够达到显著去除硅片表面指纹印和重油污的效果，制绒后绒面更加均匀，外观更好，有效减少了色斑的发生及由此带来的成品降级的问题，利于硅片后道工序的操作，实现本发明的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 单晶硅 指纹 油污 方法 | ||
【主权项】：
一种去除单晶硅片指纹印及重油污的方法，其特征在于，它包括如下步骤：(a)对硅片进行预处理；(b)将硅片放入注入有制绒液的制绒槽中进行制绒；在上述至少一个步骤中加入活性酶。
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