[发明专利]金属连线结构及其形成方法有效
申请号: | 201110459756.9 | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN103187392A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 周鸣 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种金属连线结构的形成方法和一种金属连线结构。所述金属连线结构的形成方法包括:提供半导体衬底;以及在所述半导体衬底上形成金属连线,所述金属连线之间形成有沟槽,在所述沟槽的开口处具有凸起物。通过在所述沟槽的开口处的侧壁上形成凸起物,减小相邻金属连线之间的空气间隙的开口尺寸,当沉积形成其他结构时,进入空气间隙中的沉积气体减少了,从而减小了突出结构的尺寸,改善了电性隔离的效果。 | ||
搜索关键词: | 金属 连线 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种金属连线结构,包括:半导体衬底;金属连线,位于所述半导体衬底上;以及沟槽,位于所述金属连线之间,其特征在于,在所述沟槽的开口处的侧壁具有凸起物。
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