[发明专利]金属连线结构及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201110459756.9 申请日: 2011-12-31
公开(公告)号: CN103187392A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 周鸣 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种金属连线结构的形成方法和一种金属连线结构。所述金属连线结构的形成方法包括:提供半导体衬底;以及在所述半导体衬底上形成金属连线,所述金属连线之间形成有沟槽,在所述沟槽的开口处具有凸起物。通过在所述沟槽的开口处的侧壁上形成凸起物,减小相邻金属连线之间的空气间隙的开口尺寸,当沉积形成其他结构时,进入空气间隙中的沉积气体减少了,从而减小了突出结构的尺寸,改善了电性隔离的效果。
搜索关键词: 金属 连线 结构 及其 形成 方法
【主权项】:
一种金属连线结构,包括:半导体衬底;金属连线,位于所述半导体衬底上;以及沟槽,位于所述金属连线之间,其特征在于,在所述沟槽的开口处的侧壁具有凸起物。
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