[发明专利]一种多晶硅生产中的三氯氢硅生产方法有效
| 申请号： | 201110459911.7 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102530960A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 马国栋;李强;王兵;杨光;裴艳红;刘团练;李峥;陈宁;赵文文;王志远;邓兆敬 | 申请（专利权）人： | 中国天辰工程有限公司;天津天辰绿色能源工程技术研发有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 宋洁瑾 |
| 地址： | 300400*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅生产中的三氯氢硅生产方法，将来自多晶硅生产系统的氢气、补充的新鲜氢气、工业硅粉与来自多晶硅生产中的四氯化硅进入反应器I，反应温度500-600℃，反应压力3.5-5.0MPa，气相流速为0.1-2m/s进行反应，生成四氯化硅、三氯氢硅和少量二氯氢硅及氯化氢；分离后将四氯化硅进入反应器I循环反应，氯化氢送去与硅粉在反应器II中在反应温度为100-400℃，反应压力为0.1-0.5MPa条件下反应生成氯硅烷混合物，精馏分别得到四氯化硅、高纯三氯氢硅、二氯氢硅。本发明生成三氯氢硅过程无加入催化剂，保持反应转化率在20-30％之间，减轻了后续分离系统的负担；合理设计氯化氢反应途径减少能量消耗；提高压力增大了设备处理能力，使得整个多晶硅生产系统能够长期连续稳定运行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 生产 中的 三氯氢硅 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅生产中的三氯氢硅生产方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)来自多晶硅生产系统的氢气、补充的新鲜氢气、工业硅粉与来自多晶硅生产中的较纯的四氯化硅进入反应器I，在反应温度为500‑600℃，反应压力3.5‑5.0MPa，气相流速为0.1‑2m/s条件下进行反应，生成四氯化硅、三氯氢硅和少量的二氯氢硅以及氯化氢；(2)步骤(1)产物经除尘、初步的减压分离之后，四氯化硅进入反应器I循环反应，三氯氢硅送去生产多晶硅，氯化氢送去与硅粉反应；(3)工业硅粉、来自上一步反应分离得到的以及多晶硅生产中得到的氯化氢在反应器II中进行反应，反应温度为100‑400℃，反应压力为0.1‑0.5MPa，气相流速为0.05‑1.8m/s，生成氯硅烷混合物；(4)步骤(3)所得氯硅烷混合物经常规精馏方法分别得到四氯化硅、三氯氢硅、二氯氢硅；(5)步骤(4)所得四氯化硅送去反应器I参加反应，三氯氢硅送去生产多晶硅。
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