[发明专利]一种谐波抑制混频器和GSM射频芯片

摘要

本发明实施例公开了一种谐波抑制混频器，所述混频器包括四个结构相同的混频单元，每个所述混频单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、运算放大器、以及第一电阻和第二电阻；每个混频单元均采用运算放大器作为基带信号的输入，由此能够对场氧化管的工艺偏差对谐波抑制造成的影响起到反馈补偿的作用。本发明实施例还提供一种GSM射频芯片。采用本发明实施例，能够有效地对3次谐波和5次谐波进行抑制，减小对中频滤波器滤波性能的要求。

主权项

一种谐波抑制混频器，其特征在于，所述混频器包括四个结构相同的混频单元，分别为第一混频单元、第二混频单元、第三混频单元、第四混频单元；所述混频单元包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、运算放大器、以及第一电阻和第二电阻；其中，所述第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极耦合并接运算放大器的输出端；所述第一晶体管的源极经第一电阻接地，所述第二晶体管的源极经第二电阻接地；所述运算放大器的同相输入端作为所述混频单元的基带信号输入端，反相输入端接第二晶体管的源极；所述第三晶体管的源极和第四晶体管的源极耦合并接所述第一晶体管的漏极；所述第五晶体管的源极和第六晶体管的源极耦合并接所述第二晶体管的漏极；所述第三晶体管的栅极和第四晶体管的栅极作为所述混频单元的第一差分本振信号输入端，所述第五晶体管的栅极和第六晶体管的栅极作为所述混频单元的第二差分本振信号出入端；所述第三晶体管的漏极和第四晶体管的漏极耦合，作为所述混频单元的第一输出端；所述第五晶体管的漏极和第六晶体管的漏极耦合，作为所述混频单元的第二输出端；所述混频器还包括：第三电阻和第四电阻；所述第一混频单元的第一输出端、第二混频单元的第二输出端、第三混频单元的第一输出端、第四混频单元的第二输出端短接后通过所述第三电阻接电源；第一混频单元的第二输出端、第二混频单元的第一输出端、第三混频单元的第二输出端、第四混频单元的第一输出端短接后通过所述第四电阻接电源。