[发明专利]一种选择性发射极电池的制作方法

摘要

本发明公开了一种选择性发射极电池的制作方法，包括步骤：1)去除硅片的损伤层，在硅片的表面制备绒面；2)对损伤层去除且绒面制备完成的硅片进行喷涂磷源及激光掺杂；3)对经过喷涂磷源及激光掺杂的硅片进行高温链式扩散，得到正面正电极区以外区域的p-n结；4)去除经过高温链式扩散的硅片表面的PSG及周边的p-n结；5)在经过去除表面PSG及周边p-n结的硅片表面沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜；6)在具有氮化硅膜的硅片上印刷背电极，背电场和正电极，并进行烧结，使电极金属化，得到选择性发射极电池；7)测试选择性发射极电池的各项参数，并按工艺标准将其分档。本方法，有效提高太阳能电池的转换效率，并能方便应用于生产中。

主权项

一种选择性发射极电池的制作方法，其特征在于，包括步骤：1)去除硅片的损伤层，在硅片的表面制备绒面；2)对所述损伤层去除且绒面制备完成的硅片进行喷涂磷源及激光掺杂；3)对所述经过喷涂磷源及激光掺杂的硅片进行高温链式扩散，得到正面正电极区以外区域的p‑n结；4)去除所述经过高温链式扩散的硅片表面的PSG及周边的p‑n结；5)在经过去除表面PSG及周边p‑n结的硅片表面沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜；6)在所述具有氮化硅膜的硅片上印刷背电极，背电场和正电极，并进行烧结，使电极金属化，得到选择性发射极电池；7)测试所述选择性发射极电池的各项参数，并按工艺标准将其分档。