[发明专利]形成太阳电池掺杂区的方法无效
| 申请号： | 201110460374.8 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103187478A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 王振交;韩培育;金光耀;陆红艳 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;B23K26/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种形成太阳电池掺杂区的方法，包括以下步骤：(1)在一半导体基片的表面形成一钝化层；(2)采用离子注入的方法，穿过所述钝化层在所述半导体基片上形成杂质源区；(3)采用激光照射所述杂质源区使其活化以得到太阳电池掺杂区。本发明采用激光对掺杂区进行活化，由于激光的速度、功率调节方便快捷，响应速度快，从而可以实现对掺杂浓度、掺杂深度、掺杂区宽度的精确控制，使得工艺条件简化。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 太阳电池 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种形成太阳电池掺杂区的方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)在一半导体基片的表面形成一钝化层；(2)采用离子注入的方法，穿过所述钝化层在所述半导体基片上形成杂质源区；(3)采用激光照射所述杂质源区使其活化以得到太阳电池掺杂区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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