[发明专利]制作透明传导氧化层和光伏器件的方法有效
| 申请号： | 201110460740.X | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102569064A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | H·A·布莱德斯;G·T·达拉科斯;D·W·费尔努伊;A·R·诺尔思拉普;J·C·罗霍;P·J·梅施特;彭红樱;曹洪波;奚衍罡;R·D·戈斯曼;张安平 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L31/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;朱海煜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明为“制作透明传导氧化层和光伏器件的方法”。在本发明的一个方面中，提供一种方法。该方法包括在支承上放置基本非晶氧化镉锡层；并在基本不存在来自外部源的镉的气氛中对基本非晶氧化镉锡层进行热处理以形成透明层，其中透明层具有小于约2x10-4Ohm-cm的电阻率。还提供制作光伏器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 透明 传导 氧化 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在支承上放置基本非晶氧化镉锡层；以及在基本不存在来自外部源的镉的气氛中对所述基本非晶氧化镉锡层进行热处理以形成透明层，其中所述透明层具有小于约2x10‑4Ohm‑cm的电阻率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
