[发明专利]一种APS芯片测试及筛选方法有效
| 申请号： | 201110460765.X | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102540056A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李晓;钟红军;李春江;卢欣;赵春晖;武延鹏;郑然;李玉明;刘达;程会艳 | 申请（专利权）人： | 北京控制工程研究所 |
| 主分类号： | G01R31/308 | 分类号： | G01R31/308;B07C5/344 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 安丽 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种APS芯片测试及筛选方法，针对宇航级APS芯片成本高、采购周期长带来的影响，对工业级APS芯片进行高温老炼试验，并对老炼前后APS芯片的特定的光电性能参数进行测试，通过比较老炼前后光电参数的变化量来判断器件的性能的优劣，从中筛选出满足宇航任务使用要求的芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 aps 芯片 测试 筛选 方法 | ||
【主权项】：
1.一种APS芯片测试方法，其特征在于包括以下步骤：(1)获取测试用图像将被测APS芯片置于均匀光照下，选取n个曝光时间，并按选取的曝光时间各采集m幅的明场图像；将被测APS芯片置于暗室中，选取与明场图像相同的n个曝光时间，并按选取的曝光时间各采集m幅的暗场图像；(2)计算测试参数利用获取的共n＊m幅明场图像，计算每个曝光时间情况下明场图像的均值μy.light、时域噪声方差![]()
空域噪声方差![]()
利用获取的共n＊m幅暗场图像，计算每个曝光时间情况下暗场图像的均值μy.dark、时域噪声方差![]()
空域噪声方差![]()
(3)确定被测APS芯片的光电参数计算系统增益K，所述系统增益K用于表示APS芯片将生成的光电荷数转换为相应灰度值的转换系数；利用获得的系统增益K分别计算平均暗电流Nd，响应不一致性PRNU，暗电流不一致性DCNU，暗底不一致性DSNU。
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