[发明专利]具有参考特征的垂直非易失性存储装置

摘要

本发明提供了一种具有参考特征的垂直非易失性存储装置。一种垂直非易失性存储装置具有在其中限定的单元阵列区的基底。虚设结构靠近单元阵列区的边界处设置在基底上或基底中。所述存储装置还包括多条垂直堆叠的栅极导电线并在栅极导电线之间设置有绝缘层，所述多条导电栅极线和设置的绝缘层与垂直沟道区侧向相邻地设置并横跨虚设结构延伸，导电栅极线和绝缘层中的至少最上面的一个在虚设结构的交叉处具有表面变形，所述表面变形被构造为用作参考特征。虚设结构可包括沟槽，并且表面变形可包括在沟槽上方的凹进。

主权项

一种垂直非易失性存储装置，所述垂直非易失性存储装置包括：基底，具有限定的单元阵列区；虚设图案，在基底上靠近所述单元阵列区的边缘设置；垂直堆叠的多条导线，位于基底上，覆盖虚设图案并在与虚设图案的交叉处具有表面变形，所述表面变形指示所述多条导线下面的虚设图案。