[发明专利]太阳能电池单元及其制造方法无效
| 申请号： | 201110461588.7 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102569445A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 合田晋二;鹿野康行;杉渕康一 | 申请（专利权）人： | 日本琵维吉咨询株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供这样的太阳能电池单元及其制造方法：在制造时，不使高浓度扩散区域超过必要地扩大，即使在受光面栅电极的对准沿旋转方向偏移的情况下，也能够精度良好地将受光面栅电极对位于高浓度扩散区域上。本发明提供一种太阳能电池单元，包括：p型半导体基板；在所述半导体基板的受光面侧形成的n型扩散层；以及在所述n型扩散层局部地形成的1个或多个受光面栅电极，其中，在所述n型扩散层，形成有多个高浓度扩散区域和位于这些高浓度扩散区域之间的低浓度扩散区域，所述高浓度扩散区域的宽度构成为在俯视时两端部与中心部相比较宽，所述受光面栅电极形成于所述高浓度扩散区域，邻接的所述高浓度扩散区域的中心间距离为1.5～3.0mm。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池单元，包括：p型半导体基板；在所述半导体基板的受光面侧形成的n型扩散层；以及在所述n型扩散层局部地形成的1个或多个受光面栅电极，其中，在所述n型扩散层，形成有多个高浓度扩散区域和位于这些高浓度扩散区域之间的低浓度扩散区域，所述高浓度扩散区域的宽度构成为在俯视时两端部与中心部相比较宽，所述受光面栅电极形成于所述高浓度扩散区域，邻接的所述高浓度扩散区域的中心间距离为1.5～3.0mm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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