[发明专利]一种搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110461845.7 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103779206A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 黄宇华;史亮亮;赵淑云 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 苗青盛;王凤华 |
| 地址： | 528225 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管的制造方法，包括：1)在衬底上形成多晶硅层；2)在多晶硅层上形成栅极绝缘层、栅极层、光刻胶；3)将光刻胶图案化，形成栅极掩膜，且该栅极掩膜上具有凹槽；4)以栅极掩膜为阻挡，进行刻蚀以形成栅极，并进行离子注入以在多晶硅层中掺杂形成搭桥晶粒线以及源/漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 搭桥 晶粒 多晶 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管的制造方法，包括：1)、在衬底上形成多晶硅层；2)、在多晶硅层上形成栅极绝缘层、栅极层、光刻胶；3)、将光刻胶图案化，形成栅极掩膜，且该栅极掩膜上具有凹槽；4)、以栅极掩膜为阻挡，进行刻蚀以形成栅极，并进行离子注入以在多晶硅层中掺杂形成搭桥晶粒线以及源/漏极区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东中显科技有限公司，未经广东中显科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110461845.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：饮料制备机及其操作方法
- 下一篇：基于块标记的病害感兴趣区域提取方法及系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
