[发明专利]边缘场切换液晶显示装置的制造方法

摘要

一种边缘场切换(FFS)-液晶显示(LCD)装置的制造方法，包括：在第一基板上形成栅极电极和栅极线；在形成了栅极电极和栅极线的第一基板上形成栅极绝缘膜；通过单个掩模工序，在栅极电极的上方形成有源层、源极电极和漏极电极，以及形成与栅极线交叉以限定像素区域的数据线；通过单个掩模工序形成电连接到漏极电极的像素电极；在形成了像素电极的第一基板上形成钝化膜；在像素部分的上方形成公共电极，所述公共电极成单个图案形成，所述公共电极用于与像素电极一起在每一个像素区域中产生具有多个缝隙的边缘场；将第一基板粘结到第二基板，其中通过在形成了像素电极之后进行反向沟道蚀刻，在有源层与源极电极和漏极电极之间形成欧姆接触层。

主权项

一种边缘场切换－液晶显示装置的制造方法，包括：在第一基板上形成栅极电极和栅极线；在形成了栅极电极和栅极线的第一基板上形成栅极绝缘膜、非晶硅薄膜、n+非晶硅薄膜和第二导电膜；在所述第二导电膜上形成第一到第三光敏膜图案；通过使用所述第一到第三光敏膜图案作为掩模选择性地去除所述第二导电膜来形成由所述第二导电膜形成的导电膜图案；通过使用所述第一到第三光敏膜图案作为掩模选择性地去除所述非晶硅薄膜和所述n+非晶硅薄膜来形成分别由所述非晶硅薄膜和所述n+非晶硅薄膜形成的有源层、n+非晶硅薄膜图案；通过灰化工序去除所述第三光敏膜图案并且形成具有去除了所述第三光敏膜图案的厚度的厚度的第四和第五光敏膜图案；通过使用所述第四和第五光敏膜图案作为掩模选择性去除导电膜图案，来在所述n+非晶硅薄膜图案上形成由所述第二导电膜形成的源极电极和漏极电极并且形成数据线；去除所述第四和第五光敏膜图案；在所述第一基板的整个表面上形成第三导电膜和在所述第三导电膜上形成光敏膜图案；通过使用所述光敏膜图案作为掩模选择性去除所述第三导电膜，来形成电连接到漏极电极的像素电极；通过使用所述光敏膜图案作为掩模选择性去除所述n+非晶硅薄膜来在所述有源层与所述源极电极和所述漏极电极之间形成欧姆接触层；在形成了所述像素电极和所述欧姆接触层的所述第一基板上形成钝化膜；在像素部分的上方形成公共电极，所述公共电极成单个图案形成，并且用于与像素电极一起在每一个像素区域中产生具有多个缝隙的边缘场；以及将所述第一基板粘结到第二基板。