[发明专利]用于三层芯片级MEMS器件的系统和方法有效
| 申请号： | 201110462085.1 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102556939A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | R·D·霍尔宁;R·苏皮诺 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;朱海煜 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于三层芯片级MEMS器件的系统和方法。提供了一种用于微机电系统(MEMS)器件的系统和方法。在一实施例中，系统包括第一外部层和包括第一组MEMS器件的第一器件层，其中第一器件层接合到第一外部层。系统还包括第二外部层和包括第二组MEMS器件的第二器件层，其中第二器件层接合到第二外部层。此外，系统包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的中央层，其中第一侧接合到第一器件层且第二侧接合到第二器件层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 三层 芯片级 mems 器件 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种微机电系统(MEMS)器件，所述器件包括：第一外部层(102)；第一器件层(108)，所述第一器件层(108)包括第一组MEMS器件(122、123)，其中所述第一器件层(108)接合到所述第一外部层(102)；第二外部层(106)；第二器件层(110)，所述第二器件层(110)包括第二组MEMS器件(120、121)，其中所述第二器件层(110)接合到所述第二外部层(106)；以及中央层(104)，所述中央层(104)具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，其中所述第一侧接合到所述第一器件层(108)以及所述第二侧接合到第二器件层(110)。
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