[发明专利]金属屏蔽板的制造方法有效

专利信息
申请号: 201110463076.4 申请日: 2010-03-12
公开(公告)号: CN102543962A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 增田正亲;小田和范;富田幸治;宫野和幸 申请(专利权)人: 大日本印刷株式会社
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 何欣亭;王忠忠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供金属屏蔽板的制造方法,该金属屏蔽板用于包含半导体芯片和对半导体芯片进行密封的密封树脂的半导体装置,且保护半导体芯片不受外部磁扰,其包括:准备坡莫合金(permalloy)PC材料的工序;加工坡莫合金PC材料制作包含金属屏蔽板的平板状的加工完毕坡莫合金PC材料的工序;将多个平板状的加工完毕坡莫合金PC材料互相层叠并配置在热处理炉内的工序;在热处理炉内惰性气体气氛中在650℃至850℃的温度下对加工完毕坡莫合金PC材料进行热处理的工序;以及从加工完毕坡莫合金PC材料分离金属屏蔽板的工序。依据本发明,在进行热处理时,无需使氧化铝粉末介于各加工完毕坡莫合金PC材料之间。
搜索关键词: 金属 屏蔽 制造 方法
【主权项】:
一种金属屏蔽板的制造方法,该金属屏蔽板用于包含半导体芯片和密封半导体芯片的密封树脂的半导体装置,且保护半导体芯片免受外部磁扰,其特征在于包括:准备坡莫合金PC材料的工序;加工坡莫合金PC材料而制作包含金属屏蔽板的平板状的加工完毕坡莫合金PC材料的工序;将多个平板状的加工完毕坡莫合金PC材料互相层叠并配置在热处理炉内的工序;在热处理炉内惰性气体气氛中在650℃至850℃的温度下对加工完毕坡莫合金PC材料进行热处理的工序;以及将金属屏蔽板从加工完毕坡莫合金PC材料分离的工序。
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