[发明专利]光致抗蚀剂及其使用方法有效
| 申请号： | 201110463160.6 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102592978A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | G·珀勒斯;S·J·卡波拉勒 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/027;G03F7/039;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 光致抗蚀剂及其使用方法。提供了一种新型的光致抗蚀剂，其包含多酮组分，且特别适用于离子注入光刻应用。本发明优选的光致抗蚀剂对位于其下的无机表面例如SiON、氧化硅、氮化硅、硅酸铪、硅酸锆和其它无机表面，能显示出优良的粘性。提供了一种提供离子注入的半导体基材的方法，所述方法包含：提供其上涂敷有化学增幅型的正性光致抗蚀剂组合物浮雕图像的半导体基材，其中光致抗蚀剂包含1)树脂、2)光敏组分和3)多酮组分；和施加离子到基材上。 | ||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
一种提供离子注入的半导体基材的方法，所述方法包含：提供其上涂敷有化学增幅型的正性光致抗蚀剂组合物浮雕图像的半导体基材，其中光致抗蚀剂包含1)树脂、2)光敏组分和3)多酮组分；和施加离子到基材上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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