[发明专利]半导体的电化学蚀刻有效
| 申请号： | 201110463350.8 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102623324A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | G·哈姆;J·A·里斯;G·R·奥拉德伊斯 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3063 | 分类号： | H01L21/3063 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 江磊 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在包含氟氢化物源与镍离子的溶液中对半导体进行电化学刻蚀。该电化学刻蚀可在该半导体的表面中形成纳米范围的孔。之后对该刻蚀后的半导体镀覆镍。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电化学 蚀刻 | ||
【主权项】：
一种方法，所述方法包括：a)提供半导体晶片，所述半导体晶片包括包含氧化的发射层的正面、背面及PN结；b)使该半导体晶片与组合物接触，该组合物包含一种或多种氟氢化物源、一种或多种氟化物盐或其混合物以及一种或多种金属离子源；c)在该组合物中产生电流；d)施加预定时间的阳极电流，随后关闭该阳极电流一段预定时间，并重复该循环以在该半导体晶片的氧化的发射层上形成纳米多孔层；以及e)施加阴极电流及光线以在该纳米多孔层上沉积金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
