[实用新型]10G电吸收调制激光发射器无效
申请号: | 201120018424.2 | 申请日: | 2011-01-20 |
公开(公告)号: | CN201918629U | 公开(公告)日: | 2011-08-03 |
发明(设计)人: | 曾焕添 | 申请(专利权)人: | 美泰普斯光电科技(大连)有限公司 |
主分类号: | H01S3/04 | 分类号: | H01S3/04;H04B10/155 |
代理公司: | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人: | 于忠晶 |
地址: | 116600 辽宁省大连*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本实用新型涉及光通信元器件。10G电吸收调制激光发射器,涉及激光器芯片和探测器,激光器芯片上面集成具有调制功能的调制器,发射器下面安装制冷器,制冷器控制激光器芯片温度。本实用新型结构简单,采用集成调制器的芯片技术,在原先单一发射的芯片上面集成一块有调制功能的调制器,集成之后光的调制性能就比单纯的电流调制要好,从而将传输的距离有效提高,另采用芯片制冷技术在发射器下面安装一个制冷器来精确控制芯片的温度,激光发射的波长就能够稳定,波长稳定同样能够提高传输的距离。本实用新型的成功应用,能够使长距离的光通信设备铺设成本大大的减少。 | ||
搜索关键词: | 10 吸收 调制 激光 发射器 | ||
【主权项】:
10G 电吸收调制激光发射器,涉及激光器芯片和探测器,其特征是:激光器芯片上面集成具有调制功能的调制器,发射器下面安装制冷器,制冷器控制激光器芯片温度。
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