[实用新型]适用于FPGA电路的非对称结构配置SRAM

摘要

本实用新型涉及一种适用于FPGA电路的非对称结构配置SRAM，该非对称结构SRAM由六个晶体管组成，分别为M1、M2、M3、M4、M5、M6：M1、M2为两个存取晶体管；M3和M5、M4和M6构成两个CMOS反相器；两个CMOS反相器背对背连接，形成一个CMOS锁存器；两个反相器的晶体管采用不同的宽长比（W/L），设计成非对称。采用该非对称结构SRAM，完成了FPGA电路配置功能，同时有效的改善了FPGA电路上电启动和配置的性能。本实用新型结构简单，占用版图面积小，上电预置状态稳定，数据读写可靠，在基于SRAM配置的FPGA电路中具有很强的实用性。

主权项

适用于FPGA电路的非对称结构配置SRAM，其特征是包括：第一NMOS管（M1）、第二NMOS管（M2）、第三NMOS管（M3）、第四NMOS管（M4）、第五PMOS管（M5）、第六PMOS管（M6）；第一NMOS管（M1）源端、第三NMOS管（M3）漏端、第四NMOS管（M4）栅端、第五PMOS管（M5）漏端和第六PMOS管（M6）栅端相连并连接第一数据输出端口（D1），第二NMOS管（M2）漏端、第三NMOS管（M3）栅端、第四NMOS管（M4）漏端、第五PMOS管（M5）栅端和第六PMOS管（M6）漏端相连并连接第二数据输出端口（D2），第一NMOS管（M1）栅端和第二NMOS管（M2）栅端相连并连接数据存储控制端口（WL），第一NMOS管（M1）漏端连接第一配置数据输入端口（BL），第二NMOS管（M2）源端连接第二配置数据输入端口（BLN），第五PMOS管（M5）源端、第六PMOS管（M6）源端接电源（VDD），第三NMOS管（M3）源端、第四NMOS管（M4）源端接地（GND）；所述第三NMOS管（M3）与第四NMOS管（M4）采用不同的宽长比，第五PMOS管（M5）与第六PMOS管（M6）采用不同的宽长比。