[实用新型]一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源有效
| 申请号： | 201120023675.X | 申请日： | 2011-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN201945906U | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 杨跃;林秀龙;宋勇 | 申请（专利权）人： | 成都瑞芯电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/569 | 分类号： | G05F1/569 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 梁田 |
| 地址： | 610000 四川省成都市成都高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公布了一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源，包括启动电路、PTAT产生电路、CTAT产生电路、基准1产生电路、基准2产生电路、以及三个关断控制电路。本实用新型只包含NMOS管,PMOS管和电阻，没有三极管，电路结构和制备工艺都相对简单；基准1产生电路和基准2产生电路输出的基准用于分别保护芯片比较器关于过充电，过放电，过电流的保护基准，其温度系数低、功耗低；适用于CMOS工艺实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 锂电池 保护 芯片 cmos 基准 | ||
【主权项】：
一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源，其特征在于：包括依次连接在VDD电源和VSS接地之间的启动电路（1）、PTAT产生电路（2）、CTAT产生电路（3）、第一基准产生电路（4）、第二基准产生电路（5），所述的PTAT产生电路（2）还分别与第一基准产生电路（4）、第二基准产生电路（5）连接，所述的CTAT产生电路（3）还与第二基准产生电路（5）连接，还包括分别与启动电路（1）、PTAT产生电路（2）连接的第一关断控制电路（7），分别与CTAT产生电路（3）、第一基准产生电路（4）、第二基准产生电路（5）连接的第二关断控制电路（8），在所述第二基准产生电路（5）上连接有第三关断控制电路（6）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都瑞芯电子有限公司，未经成都瑞芯电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120023675.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
