[实用新型]一种单面放电管集成芯片无效

专利信息
申请号: 201120029723.6 申请日: 2011-01-28
公开(公告)号: CN201985101U 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 欧新华;杨利君;孙志斌 申请(专利权)人: 上海芯导电子科技有限公司
主分类号: H01L29/74 分类号: H01L29/74;H01L29/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203 上海市张江*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型涉及一种单面放电管集成芯片,包括N型衬底与形成在该N型衬底正面或背面的P扩散区和N+扩散区,所述N+扩散区设于P扩散区内。采用本实用新型所述单面放电管集成芯片,克服了现有技术双面放电管芯片制造工艺复杂、成本较高等缺点,将两个放电管封装并集成到芯片的一个表面上,制造工艺简单(只需要单面抛光、单面磨片、单面氧化、单面扩散,也就是只需对硅片的扩散面进行操作即可),节约了大量人力物力,降低了碎片、废片的几率,并具有芯片成本低、封装简便等优点,同时也降低了封装成本,而且成品率达到98%以上。
搜索关键词: 一种 单面 放电 集成 芯片
【主权项】:
一种单面放电管集成芯片,其特征在于,包括N型衬底与形成在该N型衬底正面或背面的P扩散区和N+扩散区,所述N+扩散区设于P扩散区内。
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