[实用新型]一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的设备

摘要

本实用新型属于用物理冶金技术提纯多晶硅领域。一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的设备，加料真空闸室安装与真空室相连通，出料真空闸室与真空室相连通，收集室与出料真空闸室相连通；加料真空闸室顶部带有装粉盖，装粉盖下部安装上装粉桶，上装粉桶出粉口对应落粉真空室门，落粉真空阀门连通下装粉桶，下装粉桶出料口下方放置硅块，硅块放置在坩埚中，坩埚出料口与倾斜铜槽上端连通，倾斜铜槽底端连通收集筒，收集筒底部出口对应落料真空阀门，落料真空阀门连通出料真空闸室，出料真空阀室内装有冷却筒，冷却筒出料口连通收集室；真空室上方的电子束流对准硅锭。本实用新型结构简单，采取连续加料和连续出料的熔炼方式，能耗小，成本低。

主权项

一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的设备，其特征是：设备由四个腔室组成，即加料真空闸室（4）、真空室（11）、出料真空闸室（30）、收集室（29），加料真空闸室（4）安装在真空室上方，并通过落粉真空阀门（41）相连通，出料真空闸室安装在真空室下方，并通过落料真空阀门（18）相连通，收集室与出料真空闸室通过落料盖（26）相连通；其中加料真空闸室（4）顶部带有装粉盖，装粉盖下部安装上装粉桶（3），上装粉桶（3）出粉口对应落粉真空室门，落粉真空阀门连通其下方真空室内安装的下装粉桶，下装粉桶出料口下方放置硅块，硅块放置在坩埚中，坩埚出料口与倾斜铜槽上端连通，倾斜铜槽底端连通收集筒，收集筒底部出口对应落料真空阀门，落料真空阀门连通其下方安装的出料真空闸室，出料真空阀室内装有冷却筒，冷却筒出料口通过落料盖连通收集室；电子枪（6）安装在真空室（11）上方位置，电子束流对准硅锭。