[实用新型]一种晶体硅异质结叠层太阳电池无效
| 申请号： | 201120042124.8 | 申请日： | 2011-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN202103076U | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 周之斌;童朝俊;周金莲;方健;张成停;林雁;周恩哲;刘霞;刘志勇;杨健;丁开顺 | 申请（专利权）人： | 芜湖明远新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/06 | 分类号： | H01L31/06;H01L31/0336 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 241002 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型的晶体硅异质结叠层太阳电池结构，包括有晶体硅原片，所述的晶体硅原片的正、背面分别沉积有本征非晶硅薄膜，本征非晶硅薄膜的表面分别沉积有重掺杂P型SiC薄膜、重掺杂非晶Ge薄膜，并分别形成异质结，重掺杂P型SiC薄膜、重掺杂非晶Ge薄膜的表面分别沉积有透明导电薄膜，所述的透明导电薄膜上分别制备有正、背面电极。非晶SiC薄膜和非晶Ge薄膜的沉积工艺是热丝化学气相沉积技术，该工艺具有高速、高质量沉积薄膜的优点，适合大规模产业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 硅异质结叠层 太阳电池 | ||
【主权项】：
晶体硅异质结叠层太阳电池，包括有晶体硅原片，其特征在于：所述的晶体硅原片的正、背面分别沉积有本征非晶硅薄膜，所述的本征非晶硅薄膜的表面分别沉积有重掺杂P型SiC薄膜、重掺杂非晶Ge薄膜，并分别形成异质结，重掺杂P型SiC薄膜、重掺杂非晶Ge薄膜的表面分别沉积有透明导电薄膜，所述的透明导电薄膜上分别制备有正、背面电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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