[实用新型]延伸电极及含有其的等离子体斜面蚀刻设备有效
申请号: | 201120046096.7 | 申请日: | 2011-02-17 |
公开(公告)号: | CN202221752U | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 格雷戈里·塞克斯顿;保罗·阿庞特 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01J37/32;C23F1/08;C30B33/12 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 周文强;李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种延伸电极,其是用于在半导体衬底工艺中使用的等离子体斜面蚀刻器。所述延伸电极包括在环形铝制体上的等离子体暴露截锥面。所述铝制体能够在阳极化之前被粗糙化并且用诸如氧化钇之类的陶瓷材料进行涂覆。所述延伸电极具有增强的耐用性和蚀刻率。本申请还涉及一种等离子体斜面蚀刻设备,其是用于清洁具有8英寸或更大的直径的半导体衬底的斜面边缘,包括作为上延伸电极的前述的延伸电极,其被设置高于所述半导体衬底的外圆周。 | ||
搜索关键词: | 延伸 电极 含有 等离子体 斜面 蚀刻 设备 | ||
【主权项】:
延伸电极,其是用于在半导体衬底工艺中使用的等离子体斜面蚀刻器,其中,所述等离子体从半导体衬底的斜面边缘移除副产品沉积物,所述延伸电极包括:环形体,其具有外圆周、内圆周、安装表面、以及从所述外圆周延伸到所述内圆周的等离子体暴露的截锥面,所述延伸电极可用于在对所述斜面蚀刻器的所述半导体衬底的所述斜面边缘进行清洁期间产生等离子体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司,未经朗姆研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201120046096.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:有刷电机
- 下一篇:一种治疗小儿咳嗽的外用药物及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造