[实用新型]一种双极阻变存储器无效
| 申请号： | 201120063658.9 | 申请日： | 2011-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN202004045U | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 吕启标;李树玮 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 李柏林 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种双极阻变存储器，包括MgO单晶衬底，所述MgO单晶衬底上生长有一层TiN薄膜，所述TiN薄膜外延生长一层TiO2薄膜，所述TiO2薄膜表面镀有金属电极，金属电极作为器件的上电极，TiN薄膜作为器件的下电极。本实用新型双极阻变存储器水平方向的结构有利于大规模高密度集成应用；电极制作与阻变材料的生长有机结合使得器件的制备方法简单，同时也降低了其高密度集成的难度。本实用新型应用于电子存储产品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双极阻变 存储器 | ||
【主权项】：
一种双极阻变存储器，其特征在于：包括MgO单晶衬底（1），所述MgO单晶衬底（1）上设有一层TiN薄膜（2），所述TiN薄膜（2）外延设有一层TiO2薄膜（3），所述TiO2薄膜（3）表面镀有金属电极（4），金属电极（4）作为器件的上电极，TiN薄膜（2）作为器件的下电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120063658.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种钢琴练习器
- 下一篇：基于ZigBee网络的温度在线监测预警系统
