[实用新型]栅氧击穿方式的反熔丝单元结构有效
| 申请号： | 201120069591.X | 申请日： | 2011-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN202018826U | 公开（公告）日： | 2011-10-26 |
| 发明（设计）人： | 曹靓;胡小琴;封晴 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214035 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种适用于反熔丝的栅氧击穿结构，包括自外而内的N注入、N阱和有源区，所述有源区上表面接触栅氧化层，栅氧化层上为多晶栅，所述栅氧化层将有源区与多晶栅隔离，所述多晶栅和有源区作为反熔丝单元的两个电极。采用该栅氧击穿结构，可以在普通的CMOS工艺线上实现反熔丝功能，具有高电路密度、低功耗，非易失性编程和高可靠性、高寿命的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 击穿 方式 反熔丝 单元 结构 | ||
【主权项】：
栅氧击穿方式的反熔丝单元结构，其特征是：包括自外而内的N注入（5）、N阱（4）和有源区（3），所述有源区（3）上表面接触栅氧化层（1），栅氧化层（1）上为多晶栅（2），所述栅氧化层（1）将有源区（3）与多晶栅（2）隔离，所述多晶栅（2）和有源区（3）作为反熔丝单元的两个电极。
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