[实用新型]直下式背光源结构和底反射装置有效

专利信息
申请号: 201120076792.2 申请日: 2011-03-22
公开(公告)号: CN201983118U 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 杨东升;刘飞;那志成 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方茶谷电子有限公司
主分类号: F21S8/00 分类号: F21S8/00;F21V5/02;F21V17/00;F21V19/00;G02F1/13357
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了一种直下式背光源结构,用以提供一种厚度较小的直下式背光源。该结构包括:发光体构成的光源阵列、扩散装置、底反射装置,其中,底反射装置上布设有漫反射结构;光源阵列位于扩散装置之下、底反射装置之上;发光体的出光面位于发光体的侧面。本实用新型还公开一种底反射装置。
搜索关键词: 直下式 背光源 结构 反射 装置
【主权项】:
一种直下式背光源结构,其特征在于,包括:布设有漫反射结构的底反射装置;置于底反射装置之上的光源阵列,所述光源阵列包括多个发光体,所述发光体的出光面位于发光体的侧面;置于光源阵列之上的扩散装置。
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