[实用新型]一种结构改良的LED芯片无效

专利信息
申请号: 201120076941.5 申请日: 2011-03-22
公开(公告)号: CN201985158U 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 王维昀;周爱新 申请(专利权)人: 东莞市福地电子材料有限公司
主分类号: H01L33/46 分类号: H01L33/46
代理公司: 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 代理人: 张明
地址: 523082 广东省东莞市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型涉及LED制备技术领域,尤其涉及一种结构改良的LED芯片。本实用新型所述的一种结构改良的LED芯片,包括有从下至上依次层叠设置的衬底、N型半导体层、有源层以及P型半导体层,所述衬底的下方层叠设置有反射镜,反射镜与衬底之间分布有颗粒状的银粒子,银粒子的一侧壁粘附于衬底的下表面,银粒子的其余侧壁与反射镜贴合。位于衬底下方的银粒子与反射镜组合并形成复合反射镜,相对于单一金属反射镜或者介电质反射镜而言,该复合反射镜具有较高的表面粗糙度并能够将有源层发出的光线由镜面反射状态变成漫反射状态,漫反射可以增加透出本实用新型的出光面的光线;所以,本实用新型能够有效地提高出光效率并最终提升照明亮度。
搜索关键词: 一种 结构 改良 led 芯片
【主权项】:
一种结构改良的LED芯片,包括有从下至上依次层叠设置的衬底(1)、N型半导体层(2)、有源层(3)以及P型半导体层(4),其特征在于:所述衬底(1)的下方层叠设置有反射镜(5),反射镜(5)与衬底(1)之间分布有颗粒状的银粒子(6),银粒子(6)的一侧壁粘附于衬底(1)的下表面,银粒子(6)的其余侧壁与反射镜(5)贴合。
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