[实用新型]在基片上生长薄膜的反应装置有效
申请号: | 201120083598.7 | 申请日: | 2011-03-25 |
公开(公告)号: | CN202047131U | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 杜志游;荒见淳一;孙一军 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;B08B9/087 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种在基片上生长薄膜的反应装置,包括:反应腔、气体输送装置、支撑装置、基片托架以及清洁装置。所述清洁装置可分离地安装在所述支撑装置上并且至少在所述清洁过程中保持与之接触。所述清洁装置包括一面向所述气体输送表面的一表面,所述表面上分布有若干刮擦结构。采用以上结构,本实用新型自动化程度高、有效、省时。 | ||
搜索关键词: | 基片上 生长 薄膜 反应 装置 | ||
【主权项】:
一种在基片上生长薄膜的反应装置,其特征在于,包括:反应腔;气体输送装置,其设置于所述反应腔内并包括一气体输送表面,用于向所述反应腔内释放反应气体并在所述基片上形成化合物薄膜;设置于所述反应腔内的一支撑装置;基片托架,其用于传送所述基片和对所述基片提供支撑,所述基片托架可分离地安装在所述支撑装置上并且至少在所述生长薄膜的过程中保持与之接触,所述基片托架能够容易地从所述支撑装置上移开,以用于传送所述基片托架以装载或卸载所述基片;清洁装置,其可分离地安装在所述支撑装置上并且至少在所述清洁过程中保持与之接触,所述清洁装置能够容易地从所述支撑装置上移开并被移出至所述反应腔外,所述清洁装置包括一面向所述气体输送表面的一表面,所述表面上分布有若干刮擦结构;以及旋转驱动装置,其可选择性地带动所述清洁装置上的所述若干刮擦结构旋转;其中,所述清洁装置在所述反应腔内具有一位置,在所述位置上,至少部分所述若干刮擦结构接触所述气体输送表面,并将附着在所述气体输送表面上的附着聚集物移除下来。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的