[实用新型]高压二极管反向浪涌电流发生器有效

专利信息
申请号: 201120100889.2 申请日: 2011-04-08
公开(公告)号: CN201966827U 公开(公告)日: 2011-09-07
发明(设计)人: 郭和平 申请(专利权)人: 乐山无线电股份有限公司
主分类号: H02M9/04 分类号: H02M9/04
代理公司: 四川力久律师事务所 51221 代理人: 王芸;林辉轮
地址: 614000 *** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型公开了一种高压二极管反向浪涌电流发生器,包括IGBT管阵列单元(8)、储能电容阵列单元(9)、高压脉冲变压器(10)、被测器件(11),其中,启动开关(3)输出端连接单片机(6)第一输入端,单片机(6)第一输出端连接恒流控制电路(7)第一输入端,单片机(6)第二输出端连接恒流控制电路(7)第二输入端。本实用新型能有效地对高压半导体器件施加反向脉冲电流,以考察器件抗反向浪涌电流的冲击能力,保证生产出的半导体功率器件具有良好的可靠性能;生产成本低。本实用新型主要用于半导体功率器件,在高压二极管施加反向浪涌电流来考察器件抗反向浪涌电流的冲击能力。
搜索关键词: 高压 二极管 反向 浪涌 电流 发生器
【主权项】:
一种高压二极管反向浪涌电流发生器,其特征在于:包括启动开关(3)、单片机(6)、恒流控制电路(7)、IGBT管阵列单元(8)、储能电容阵列单元(9)、高压脉冲变压器(10)、被测器件(11),其中,启动开关(3)输出端连接单片机(6)第一输入端,单片机(6)第一输出端连接恒流控制电路(7)第一输入端,单片机(6)第二输出端连接恒流控制电路(7)第二输入端,恒流控制电路(7)输出端连接IGBT管阵列单元(8)第一输入端,储能电容阵列单元(9)输出端连接IGBT管阵列单元(8)第二输入端,IGBT管阵列单元(8)第一输出端连接恒流控制电路(7)第三输入端,IGBT管阵列单元(8)第二输出端连接高压脉冲变压器(10)输入端,高压脉冲变压器(10)第一输出端连接被测器件(11)输入端,高压脉冲变压器(10)第二输出端连接连接单片机(6)第二输入端,被测器件(11)输出端连接单片机(6)第三输入端。
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