[实用新型]基于N型硅片的背接触式HIT太阳能电池结构

摘要

本实用新型涉及一种太阳能电池结构，具体涉及一种基于N型硅片的背接触式HIT太阳能电池结构。本实用新型将常规晶硅电池和薄膜太阳能电池结合，该结构不会出现晶硅太阳能电池光致衰减现象；太阳光在电池内传播光程更长，电池较常规晶硅太阳电池厚度大大减薄；电极全部印刷在电池背面，既避免了常规太阳能电池正面电极遮光的问题，又降低了对电极印刷精度和高宽比的要求，可提高晶体硅太阳能电池的效率，适用于产业化生产。

主权项

一种基于N型硅片的背接触式HIT太阳能电池结构，包括N型硅片，其特征在于，在制绒后的N型硅片正表面有一层高浓度N+型非晶硅薄膜和一层氮化硅减反射膜；N型硅片背表面分为N型区域和P型区域，其中N型区域为N型硅片基体；P型区域基底为N型硅片，N型硅片上依次为一层本征非晶硅薄层和一层P型非晶硅薄层，在N型区域和P型区域表面覆盖一层SiO2薄层；在背表面的N型区域和P型区域分别印刷导电浆料作为N区电极和P区电极。