[实用新型]用混合镀金合金线制造集成电路芯片的封装结构有效
| 申请号： | 201120112507.8 | 申请日： | 2011-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN202076244U | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 严于龙;陈贤明;林宽强 | 申请（专利权）人： | 深圳市矽格半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/488;H01L23/49 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 张明 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种用混合镀金合金线制造集成电路芯片的封装结构，所述结构包括封装在塑封体内的金属框架、芯片、混合镀金合金线和导电层，在所述金属框架上设有衬底区和引脚区，所述导电层设在所述衬底区和引脚区，所述芯片固定在所述衬底区的导电层上，所述芯片的表面具有金属化焊盘，所述金属化焊盘的厚度大于等于2um，焊盘点大于60um，所述混合镀金合金线的一端球焊在所述金属化焊盘上，另一端压焊在所述引脚区的导电层上。本实用新型通过增加芯片金属化焊盘的厚度，使金属化焊盘能够承受更大的超声能量和键合压力，在焊接过程中可保证焊接质量；且在节省芯片制造成本的同时不影响芯片的性能，利于大规模推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 镀金 合金 制造 集成电路 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种用混合镀金合金线制造集成电路芯片的封装结构，其特征在于：包括封装在塑封体内的金属框架、芯片、混合镀金合金线和导电层，在所述金属框架上设有衬底区和引脚区，所述导电层设在所述衬底区和引脚区，所述芯片固定在所述衬底区的导电层上，所述芯片的表面具有金属化焊盘，所述金属化焊盘的厚度大于等于2um，焊盘点大于60um，所述混合镀金合金线的一端球焊在所述金属化焊盘上，另一端压焊在所述引脚区的导电层上。
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