[实用新型]隔离的桥式高频MOSFET驱动电路无效
| 申请号： | 201120126414.0 | 申请日： | 2011-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN202059318U | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 刘闯 | 申请（专利权）人： | 刘闯 |
| 主分类号： | H02M1/092 | 分类号： | H02M1/092 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200240 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种隔离的桥式高频MOSFET驱动电路，包括：上桥臂驱动电路和下桥臂驱动电路，其中，上桥臂驱动电路包括光电耦合隔离电路、推挽驱动电路、恒压降电路，下桥臂驱动电路仅由光电耦合隔离电路组成，光电耦合隔离电路将输入的控制信号与驱动电路隔离，并将控制信号放大到驱动电源的电平等级；所述的推挽驱动电路由NPN三极管和PNP三极管串联组成，选择输入到上臂MOSFET管的门极电压；恒压降电路维持上臂MOSFET管在驱动过程中栅极与源极的压差稳定，使其导通持续。该驱动电路可快速驱动MOSFET管，驱动电源只需一路，设计简单，可用于高频DC/DC变换器、高频三相逆变器等。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 高频 mosfet 驱动 电路 | ||
【主权项】：
一种隔离的桥式高频MOSFET驱动电路，包括：上桥臂驱动电路和下桥臂驱动电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于刘闯，未经刘闯许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120126414.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种恒功率输出磁控溅射镀膜电源
- 下一篇：变频装置系统
- 同类专利
- 专利分类
H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
