[实用新型]多晶硅薄膜

摘要

本实用新型公开了一种用非晶硅低温诱导制备的多晶硅薄膜，属于薄膜太阳能电池技术领域，现有金属诱导法结晶速率较慢，本实用新型是在基板上自下而上依次沉积硅化钛纳米线层和非晶硅薄膜层，由所述的硅化钛纳米线层诱导非晶硅薄膜层结晶成为多晶硅薄膜层，由此形成基板、硅化钛纳米线与多晶硅薄膜共存的过渡层、多晶硅薄膜层三层复合结构的多晶硅薄膜。本实用新型以硅化钛纳米线作为诱导剂，一方面，更容易诱导非晶硅薄膜晶化，晶化温度更低；另一方面，硅化钛纳米线巨大的比表面积，使诱导层有非晶硅之间的接触面积增大，非晶硅晶化初始阶段，形核数目增加，结晶速率得到极大地提高，整个结晶过程在2至4小时。

主权项

多晶硅薄膜，包括基板（1）和多晶硅薄膜层（3），其特征是:所述的基板（1）与多晶硅薄膜层（3）之间具有与二者复合在一起的硅化钛纳米线与多晶硅薄膜共存的过渡层（2）。