[实用新型]多路独立供气式PECVD供气沉积系统

摘要

本实用新型涉及一种多路独立供气式PECVD供气沉积系统，包括沉积槽，沉积槽上表面的中部设有一排氨气孔，沉积槽上表面的上、下两侧边缘处各设有一排硅烷孔，其特征在于，左、中、右侧的氨气孔分别连接第一特气管路、第二特气管路和第三特气管路，左、中、右侧的硅烷孔分别连接第四特气管路、第五特气管路和第六特气管路。本实用新型供气方式更加灵活，可以根据工艺的需要单独调整硅片载板左中右三个区域反应气体的流量，单独调节，从而有效的解决工艺过程中沉积槽左中右气孔堵塞、气流量的变化，温场的均匀性、以及微波功率衰减等的影响所导致的载板左中右同行硅片所镀膜的厚度以及折射率一致性较差的问题。

主权项

一种多路独立供气式PECVD供气沉积系统，包括沉积槽（1），沉积槽（1）上表面的中部设有一排氨气孔（2），沉积槽（1）上表面的上、下两侧边缘处各设有一排硅烷孔（6），其特征在于，左、中、右侧的氨气孔（2）分别连接第一特气管路（3）、第二特气管路（4）和第三特气管路（5）。