[实用新型]大功率晶闸管芯片有效
| 申请号： | 201120151155.7 | 申请日： | 2011-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN202120919U | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 高占成;徐爱民;顾标琴 | 申请（专利权）人： | 润奥电子（扬州）制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L23/28;H01L23/29 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人： | 孙忠明 |
| 地址： | 225006 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 大功率晶闸管芯片，该大功率晶闸管芯片的放大门极（1）表面上依次覆盖并固化有两层有机绝缘膜，该两层有机绝缘膜分别为聚酰亚胺涂层（5）和涂敷该聚酰亚胺涂层上的正性光刻胶涂层（7）。本实用新型的大功率晶闸管芯片，其放大门极和阴极间的绝缘电压可达到1000V，简化了后封装工艺，提高了封装合格率。此外，本实用新型的晶闸管扩散成本低廉，便于大规模生产，生产效率高，光刻工艺操作简便，材料成本低，适于大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 晶闸管 芯片 | ||
【主权项】：
大功率晶闸管芯片，其特征是，该大功率晶闸管芯片的放大门极（1）表面上依次覆盖并固化两层有机绝缘膜，该两层有机绝缘膜分别为聚酰亚胺涂层（5）和涂敷该聚酰亚胺涂层上的正性光刻胶涂层（7）。
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