[实用新型]多反应室MOCVD反应器有效
| 申请号： | 201120169848.9 | 申请日： | 2011-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN202131367U | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 颜秀文;王慧勇;魏唯;刘红江 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 410205 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种多反应室MOCVD反应器，属于化合物半导体光电器件的金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器的装置领域，为了解决现有的MOCVD反应器均采用单腔反应室结构，导致的单批产量有限、进出取片耗时长、人工成本高的问题，该反应器包括反应室和设在该反应室一侧预备室，以及设在该反应室另一侧的取片室，所述反应室为多个，每个反应室内均放置一个作为单腔反应室独立生长的石墨托盘。本实用新型可使得MOCVD反应器的量产能力成倍增加，成本降低20％以上，能够适用于大批量LED外延生长的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 mocvd 反应器 | ||
【主权项】：
一种多反应室MOCVD反应器，包括反应室(4)和设在该反应室(4)一侧预备室(1)，以及设在该反应室(4)另一侧的取片室(2)，其特征是，所述反应室(4)为多个，每个反应室(4)内均放置一个作为单腔反应室独立生长的石墨托盘(5)。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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