[实用新型]用于消除电流模DC-DC变换器中斜坡补偿温度影响的电路结构有效

专利信息
申请号: 201120169974.4 申请日: 2011-05-25
公开(公告)号: CN202197212U 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 朱波 申请(专利权)人: 无锡新硅微电子有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32;H02M3/157
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所 32104 代理人: 曹祖良
地址: 214028 江苏省无锡*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种用于消除电流模DC-DC变换器中斜坡补偿温度影响的电路结构,其运算放大器的输出端与第五MOS管的栅极端相连,第五MOS管的源极端通过第四电阻接地;第五MOS管的漏极端与第一MOS管的漏极端、第一MOS管及第二MOS管的栅极端相连;第二MOS管的漏极端分别与第一三极管的基极、第二三极管的基极相连;第一三极管的发射极通过第六电阻接地;第二三极管的发射极通过第一电阻接地;第二三极管的集电极分别与第三MOS管的漏极端、第三MOS管的栅极端及第四MOS管的栅极端相连,第三MOS管的栅极端与第四MOS管的栅极端相连;第四MOS管的漏极端通过第二电阻接地,第六MOS管的漏极端通过第三电阻接地。本实用新型能提高输出带负载能力,降低使用成本,安全可靠。
搜索关键词: 用于 消除 电流 dc 变换器 斜坡 补偿 温度 影响 电路 结构
【主权项】:
一种用于消除电流模DC‑DC变换器中斜坡补偿温度影响的电路结构,其特征是:包括运算放大器(8),所述运算放大器(8)的输出端与第五MOS管(M5)的栅极端相连,第五MOS管(M5)的源极端与运算放大器(8)的反相端相连后通过第四电阻(R4)接地;第五MOS管(M5)的漏极端与第一MOS管(M1)的漏极端、第一MOS管(M1)的栅极端及第二MOS管(M2)的栅极端相连,第二MOS管(M2)的栅极端与第一MOS管(M1)的栅极端相连,第二MOS管(M2)的源极端与第一MOS管(M1)的源极端、第一三极管(Q1)的集电极相连;第二MOS管(M2)的漏极端分别与第一三极管(Q1)的基极、第二三极管(Q2)的基极及第五电阻(R5)相连,第五电阻(R5)对应于与第二MOS管(M2)相连的另一端接地;第一三极管(Q1)的发射极通过第六电阻(R6)接地;第二三极管(Q2)的发射极通过第一电阻(R1)接地;第二三极管(Q2)的集电极分别与第三MOS管(M3)的漏极端、第三MOS管(M3)的栅极端及第四MOS管(M4)的栅极端相连,第三MOS管(M3)的栅极端与第四MOS管(M4)的栅极端相连,第三MOS管(M3)的源极端与第二MOS管(M2)的源极端相连,并分别与第四MOS管(M4)及第六MOS管(M6)的源极端相连;第四MOS管(M4)的漏极端通过第二电阻(R2)接地,第六MOS管(M6)的漏极端通过第三电阻(R3)接地,第六MOS管(M6)的栅极端与第四MOS管(M4)的栅极端相连。
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