[实用新型]发光装置

摘要

本实用新型提供了一种发光装置。所述发光装置包括具有第一导电半导体、有源层和第二导电层的发光结构，其中，当在第一工艺中从基底上方排放的源气体在半导体生长基底上反应时，由此在所述半导体生长基底上形成半导体薄膜，在第二工艺中沿与所述基底平行的方向排放的源气体在所述半导体生长基底上反应，由此在所述半导体生长基底上形成半导体薄膜，所述发光结构使用所述第一工艺和所述第二工艺来形成。根据本实用新型的发光装置是通过使用不同的生长工艺制造的，从而具有优异的结晶结构，由此防止了发光效率的降低。

主权项

发光装置，所述发光装置包括发光结构，所述发光结构具有：第一导电半导体层，在第一工艺中由从基底上方排放的源气体在半导体生长基底上反应形成；有源层和第二导电层，所述有源层和所述第二导电层或者所述有源层在第二工艺中由沿与所述基底平行的方向排放的源气体在所述半导体生长基底上反应形成。