[实用新型]单晶炉腔体排气系统有效

专利信息
申请号: 201120197832.9 申请日: 2011-06-13
公开(公告)号: CN202131392U 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: 华贵俊;徐昌华;史才成;秦舒 申请(专利权)人: 江苏晶鼎电子材料有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 常亮;李辰
地址: 223700 江苏省宿迁*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型实施例公开了一种单晶炉腔体排气系统,用于生长单晶硅,其包括单晶炉腔体、保温盖、导流筒、放置硅料的石英坩埚、设于石英坩埚外侧以导热的三瓣坩埚、用于加热三瓣坩埚的加热器、保温筒、石墨托杆以及炉底盘,所述单晶炉腔体设有炉膛排气口,所述保温筒包括内保温筒、外保温筒以及位于内保温筒与外保温筒之间的夹层空间,所述内保温筒设有靠近保温盖的若干通气孔。本实用新型实施例中通过采用双层中空保温筒,改变传统的气体的气流流动方向,从而达到有效减少气体中的硅料挥发物与石墨器件接触的机会,缩小硅料挥发物对石墨器件的损坏,延长石墨器件的使用寿命。
搜索关键词: 单晶炉腔体 排气 系统
【主权项】:
一种单晶炉腔体排气系统,用于生长单晶硅,其包括单晶炉腔体、保温盖、导流筒、放置硅料的石英坩埚、设于石英坩埚外侧以导热的三瓣坩埚、用于加热三瓣坩埚的加热器、保温筒、石墨托杆以及炉底盘,所述单晶炉腔体设有炉膛排气口,其特征在于:所述保温筒包括内保温筒、外保温筒以及位于内保温筒与外保温筒之间的夹层空间,所述内保温筒设有靠近保温盖的若干通气孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏晶鼎电子材料有限公司,未经江苏晶鼎电子材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201120197832.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top