[实用新型]一种场限环结构有效
| 申请号： | 201120209191.4 | 申请日： | 2011-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN202111097U | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 田晓丽;朱阳军;吴振兴;张彦飞;卢烁今 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L23/62 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种场限环结构，包括第一导电类型的衬底、衬底内的第二导电类型的主结区以及第二导电类型的场限环，z轴方向为主结区及场限环的长度方向，其特征在于，在主结区与相邻场限环之间以及各相邻场限环之间的衬底内、沿z轴方向上形成有PIN结构。通过形成具有PIN结构的场限环结构，使得场限环之间的电场分布形状呈矩形，矩形的电场分布降低了电场峰尖，大大提高了相邻场限环承受的电压，实现了在相对较小的终端面积下具有较高的击穿电压，同时PIN结构难于形成反型层或积累层，可以屏蔽界面电荷的影响，改善电场分布，保证击穿电压的同时提高了可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场限环 结构 | ||
【主权项】：
一种场限环结构，包括第一导电类型的衬底、衬底内的第二导电类型的主结区以及第二导电类型的场限环，，z轴方向为主结区及场限环的长度方向，其特征在于，在主结区与相邻场限环之间以及各相邻场限环之间的衬底内、沿z轴方向上形成有PIN结构。
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