[实用新型]一种多室连续真空镀膜装置有效
| 申请号： | 201120216053.9 | 申请日： | 2011-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN202124659U | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 刘晓波;翟玉涛;王珂;李绪波;文磊 | 申请（专利权）人： | 核工业西南物理研究院 |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56;C23C14/34 |
| 代理公司： | 核工业专利中心 11007 | 代理人： | 高尚梅 |
| 地址： | 610041 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种多室连续真空镀膜装置，旨在提供一种能够将大真空室分割为若干个气氛独立的小真空镀膜室，能够实现多室连续真空镀膜的装置。它包括一个大真空室、若干个真空泵，大真空室中均匀设置若干个气室隔离墙，气室隔离墙之间形成小真空镀膜室，大真空室与小真空镀膜室各自与至少一台真空泵相连。本实用新型适用于真空环境下的连续多层镀膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 连续 真空镀膜 装置 | ||
【主权项】：
一种多室连续真空镀膜装置，包括一个大真空室、与所述大真空室相连的真空泵，以及位于所述大真空室中的被镀基材，其特征在于：大真空室两端之间密封设置有若干个气室隔离墙，所述气室隔离墙的底部与所述大真空室内壁固定；当进行真空镀膜时，基材与所述气室隔离墙的顶部之间保持0.1～1mm的间隙，任意相邻的气体隔离墙之间形成小真空镀膜室，所述每个小真空镀膜室都与至少一台真空泵相连。
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