[实用新型]适用于共晶封装的半导体芯片背面金属化结构有效
| 申请号： | 201120220285.1 | 申请日： | 2011-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN202103037U | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 王新潮;冯东明;叶新民;王文源;袁昌发 | 申请（专利权）人： | 江阴新顺微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/488;B32B15/04;B32B9/04 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人： | 唐纫兰 |
| 地址： | 214434 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种适用于共晶封装的半导体芯片背面金属化结构，属于集成电路或分立器件芯片制造技术领域。包括硅片背面衬底（4），在硅片背面衬底（4）的表面，形成有粘附层（3），在粘附层（3）的表面形成有阻挡层（2），在阻挡层（2）的表面形成有导电层（1）；所述粘附层（3）为非贵金属铝或钛、铝或铬、铝与硅进行合金形成的粘附层；所述阻挡层（2）为非贵金属钛、镍、锡铜合金或者钒、镍、锡铜合金或者铬、镍、锡铜合金依次形成的金属复合层；所述导电层（1）为贵金属金。本实用新型结构能满足共晶装片的要求，能降低芯片背面金属化成本及提高产品可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 封装 半导体 芯片 背面 金属化 结构 | ||
【主权项】：
一种适用于共晶封装的半导体芯片背面金属化结构，包括硅片背面衬底（4），其特征在于：在硅片背面衬底（4）的表面，形成有粘附层（3），在粘附层（3）的表面形成有阻挡层（2），在阻挡层（2）的表面形成有导电层（1）；所述粘附层（3）为非贵金属铝或钛、铝或铬、铝与硅进行合金形成的粘附层；所述阻挡层（2）为非贵金属钛、镍、锡铜合金或者钒、镍、锡铜合金或者铬、镍、锡铜合金依次形成的金属复合层；所述导电层（1）为贵金属金。
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