[实用新型]一种用于化学气相沉积工艺的反应器有效
申请号: | 201120231929.7 | 申请日: | 2011-07-04 |
公开(公告)号: | CN202220200U | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 杜志游 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/48;C30B25/10 |
代理公司: | 上海市光大律师事务所 31240 | 代理人: | 崔维;臧云霄 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型提供用于化学气相沉积工艺的反应器,包括一反应腔;具有设置在所进述反应腔内的一顶端的一可旋转主轴用于传送所述一个或多个晶片和对所述一个或多个晶片提供支撑的一晶片托架;所述晶片托架被居中地和可分离地安装在所述主轴的所述顶端上,传送所述晶片托架以装载或卸载所述一个或多个晶片;以及设置在所述晶片托架之下用于加热所述晶片托架的辐射加热元件,其用于发射辐射加热射线;其特征在于,所述晶片托架的下表面设置有一系列反射部,所述反射部可以对辐射加热射线进行多次反射。本实用新型有效利用热能,明显改善辐射加热均匀性。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 化学 沉积 工艺 反应器 | ||
【主权项】:
一种用于化学气相沉积工艺的反应器,其包括:一反应腔;具有设置在所述反应腔内的一顶端的一可旋转主轴;用于传送所述一个或多个晶片和对所述一个或多个晶片提供支撑的一晶片托架;所述晶片托架被居中地和可分离地安装在所述主轴的所述顶端上,传送所述晶片托架以装载或卸载所述一个或多个晶片;以及设置在所述晶片托架之下用于加热所述晶片托架的辐射加热元件,其用于发射辐射加热射线;其特征在于,所述晶片托架的下表面设置有一系列反射部,所述反射部可以对辐射加热射线进行多次反射。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的