[实用新型]一种新型开关整流半桥有效
| 申请号： | 201120237843.5 | 申请日： | 2011-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN202094812U | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 张成方;吴维国 | 申请（专利权）人： | 重庆平伟实业股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/162 | 分类号： | H02M7/162 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 405200 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型开关整流半桥，用于摩托车专用线路，可组成整流全桥或三相桥，也可与其它电路配合组成整流电路或变压电路；其特征在于：在金氧半场效晶体管MOSFET的源极、栅极、漏极分别引出三个外接接线端，在金氧半场效晶体管MOSFET的源极和漏极之间并联连接有一个寄生二极管D1，在金氧半场效晶体管MOSFET的源极引出的外接接线端上串联连接有一个外接二极管D2。与传统可控硅作开关的整流半桥相比，本实用新型具有结构简单、功耗低、导通电阻低、开关速度快的优点，用途广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 开关 整流 | ||
【主权项】：
一种新型开关整流半桥，用于摩托车专用线路，可组成整流全桥或三相桥，也可与其它电路配合组成整流电路或变压电路；其特征在于：在金氧半场效晶体管MOSFET的源极、栅极、漏极分别引出三个外接接线端，在金氧半场效晶体管MOSFET的源极和漏极之间并联连接有一个寄生二极管D1，在金氧半场效晶体管MOSFET的源极引出的外接接线端上串联连接有一个外接二极管D2。
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